【ＩＢＭ炭纳米管芯片取得重大进展】 炭纳米管

　　IDG专供本报消息 IBM研究人员在制造纳米级处理器方面迈出了重要一步。他们已经通过将常规硅芯片技术与炭纳米管分子结合，制造出了一个电子集成电路。 　　IBM Thomas J. Watson研究中心的研究人员Joerg Appenzeller说，这个混合电路的速度仍然比普通器件慢，但是它完成了一次重要的概念验证。
　　IBM最近在《科学》杂志的一篇论文中透露了这一消息。
　　IBM取得的这一成果可能有助于设计更快的处理器。40年前，英特尔创始人戈登・摩尔预计，芯片上的晶体管数量每两年会翻一番，自那以后，工程师们一直感到很难跟得上“摩尔定律”的速度。
　　业界领导者英特尔公司已经宣布，计划到2007年从65nm芯片转向45nm芯片。但是很多工程师都说，芯片密度提高不可避免地会遇到过热等问题。混合型处理器有可能避免此类问题，因为电子流经纳米管时的速度很高，而且摩擦很小。
　　分析师们说，IBM取得的进展非常重要，有助于达到提高芯片密度同时避免过热等问题的目标。Lux Research公司的分析师Vahe Mamikunian说：“IBM预计，这种芯片根本改变行业面貌需要10到15年的时间，因此现在取得这么重大的进展是非常可观的。”
　　很多研究人员都注意到了炭纳米管极好的物理属性，如速度高、功耗低、密度高等。目前Nantero公司正在用纳米管制造高密度非易失性存储器。富士通公司和NanoConduction公司的科学家则在研究用纳米管的热导特性帮助处理器散热。