兴奋性突触后电位的形成机制【兴奋性突触后电位】

1、 神经肌肉接头结构由(突触前膜), (突触后膜), (突触间隙)三部分组组成。

2、 神经递质贮存于：

A、 突触囊泡； B、突触小体； C、突触前膜； D、突触后膜。

3、 突触前抑制的结构基础是：

A、 轴突－轴突型突触； B、轴突－树突型突触； C、轴突－胞体型突触； D、胞体－胞体型突触。

4、 简述什么是EPSP和IPSP

EPSP 称兴奋性突触后电位

突触前轴突末梢的AP 内流 递质与突触后Na+(主) K+通透性↑K+外流 去极化（EPSP)

IPSP 抑制性突触后电位

突触前轴突末梢的 Ca2+突触囊泡中抑制性递质释放 递质与突触后膜受体结合突触后膜离子通道开放 主要) K+ Cl-内流、 K+超极化（IPSP）

突出前神经元突触末梢兴奋，释放到突触间隙中的是抑制性递质。此递质与突触后膜特异性受体结合，使离子通道开放，提高了膜对K+、Cl-，尤其是Cl-的通透性，使突触后膜的膜电位增大，突触后膜出现超极化。由于这种超极化电位使突触后神经元膜电位远离阈电位值，突触后神经元不易发生兴奋，表现为突触后神经元活动的抑制，因此将这种局部电位称为抑制性突触后电位（IPSP）。

或者:

EPSP 称兴奋性突触后电位

突触前膜兴奋并释放兴奋性化学递质，与突触后膜受体结合后，提高突触后膜对Na+ 、K+、Cl-，特别是对Na+的通透性，使膜电位极化状态减小膜局部除极化。由于此除极化能兴奋突触，突触后神经元容易发生兴奋，表现为突触后神经元活动的加强，因此称这种局部电位为兴奋性突触后电位（EPSP）。

IPSP 抑制性突触后电位

突出前神经元突触末梢兴奋，释放到突触间隙中的是抑制性递质。此递质与突触后膜特异性受体结合，使离子通道开放，提高了膜对K+、Cl-，尤其是Cl-的通透性，使突触后膜的膜电位增大，突触后膜出现超极化。由于这种超极化电位使突触后神经元膜电位远离阈电位值，突触后神经元不易发生兴奋，表现为突触后神经元活动的抑制，因此将这种局部电位称为抑制性突触后电位（IPSP）。