加速寿命试验【珑越MOSFET/IGBT间歇性寿命试验台】

　　IOIAOT试验台是设计用来对功率型MOSFET或IGBT器件进行间歇性寿命试验的一台专用设备。试验台遵循美军标MIL-STD 750 Method 1036.3标准，固化试验程序并全自动完成实验整个过程；各项参数均可以通过试验台的面板进行自行编程以适用于不同的器件；
　　试验台根据美军标的规定的方法，利用被试验器件自身半导体结温在加电周期升温的原理，在规定时间内(可编程)通过规定的电流(可编程)直接将半导体结温升至试验的Tj，然后迅速进入冷却周期(可编程)；如此循环往复，完成整个实验。每台试验台可同时作40个器件的试验；两台或三台设备之间可以简单地连接组成子母方式工作，以便于对80个或120个器件进行同时试验；最多可容纳256台设备组成网络方式，进行集中管理、采集、存储数据、设置参数、远程遥控等功能；
　　标准的试验台采用美国Loranger的老化插座，可以直接对T092／T0220／T0237等五脚以下直捕器件做实验；其他的如SOT23、DPAK、D2PAK、T0252等封装形式，本公司均提供相应的转接板来满足试验的要求；
　　IOL40T试验台小巧玲珑，在室温下工作，放在一般的防静电桌面上即可；单台设备可独立运行，无需老化板和其他配件；不同的器件可以通过现场编程立即完成；不同的封装也只需要更换转接板即可。每台设备的初始购置费用低，运行成本低，为多家世界级半导体厂商所选用，技术成熟、可靠性极高。
　　鉴于我国目前对于IGBT／MOSFET器件以及LED照明芯片等项目大量上马，产品的质量问题迅速提到了议事日程上来，因此本公司特推出此设备供相关的厂家参考；同时在上海备有试验台，可以为客户作小型的试验服务。