硅外延片_８英寸ＶＤＭＯＳ用硅外延片

　　 河北普兴电子科技股份有限公司的8英寸VDMOS用硅外延片荣获2008年度中国半导体创新产品和技术奖。 　　 　　1本项目的意义 　　 　　 功率VDMOS是在MOS集成电路的工艺基础上发展起来的新一代电力电子开关器件，实现了电力设备高功率大电流耐压的要求，被广泛用于开关电源、汽车电子、不间断电源、电子转换电路、节能灯、逆变器等各种领域，并在各种功经开关应用中越来越引起人们的重视。2001～2006年，年增长率超过30%，然而由于高压VDMOS的耐压、导通电阻之间存在着矛盾，高的外延层电阻率和厚度会提高耐压但是会造成导通电阻增加，因此如何生长外延层使两者的匹配达到最优，一直是高压VDMOS器件实现批量生产和大直径化的制约因素。
　　 我公司自主研发的8英寸厚层外延片，主要用于制作功率MOSFET器件，该外延片很好的解决了自掺杂对厚度均匀性及电阻率均匀性的影响，器件击穿电压和导通电阻等和国外进口产品相当，一致性及离散性等性能优于国外产品。
　　本项目产品填补了我国8英寸集成电路及分立器件产业链中的空白，实现了关键材料的国产化，推动我国半导体制造产业的发展，提升了我国半导体工艺及材料技术的自主创新能力。
　　从硅材料产业链来看，它处于多晶硅-单晶硅-硅单晶抛光片-硅外延片-芯片制作的下游。目前国内尚无一条完整、规模化的8英寸硅外延片的生产线。从国内的供需情况看，8英寸VDMOS硅外延片的缺口较大，主要依靠进口尤其是高阻厚层硅外延片，附加值高，市场供不应求，本项目市场前景广阔。产品完全可以替代进口。本项目的完成，对满足国内半导体器件市场需求，促进我国半导体产业的技术进步，实现我国信息产业的跨越式发展具有深远的战略意义。
　　
　　2创新性和先进性
　　
　　该产品是我公司与8英寸器件生产厂家共同合作，利用自有技术研发成功的，属于原始创新。
　　该产品的主要创新性体现在：我公司通过主载气体流量、中间和边缘的气流分布、片内的温区分布等设计抑制了自掺杂，减少了片内温度梯度，使8英寸功率VDMOS用外延产品的指标达到了：边缘6mm电阻率片内均匀性