【元器件与组件】 电子元器件

　　高功率微型NPN及PNP晶体管 　　 　　ZXTN及ZXTP晶体管采用SOT23FF封装，占板面积为2.5mm×3mm，板外高度只有1mm，可满足新一代电源设备中MOSFE了栅极驱动需求。20V的ZXTN19020CFF和ZXTP19020CFF能保证在7A和5A电流下分�提供100和110的增益。如果采用共发射极配置连接，它们更能提供极快速的切换，传播时间少于2ns，升降时间在10ns和20ns之间。该类产品的峰值电流性能高达15A，是用于栅极驱动集成电路极具成本效益的替代产品。
　　
　　在用于POL DC/DC模块和应急照明设备的、采用自振荡和推挽拓朴结构的饱和式开关应用中，晶体管的低饱和电压能力可提供显著的优势，额定电压为60V的ZX7N19060CFF NPN产品在1A电流和10mA基极驱动下的饱和电压仅为150mV，在2A电流和40mA基极驱动下为135mV。
　　Zetex Semiconductors
　　Email:asia.省略
　　https://www.省略
　　
　　紧凑型Y2电磁干扰抑制电容器
　　
　　紧凑型Y2电磁干扰(EMI)抑制电容器与位于中性导线和中性相位之间的保护接地相连，可抑止高频干扰和瞬变，从而保护设备并实现可靠运行。此产品主要应用于电源和家用电器。Y2型电容器B32021至B32026系列支持的额定交流电压为300V，温度稳定性达100℃。其设计确保产品在紧凑形式下具备极高的可靠性能。产品尺寸范围介于4mm×9mm×13mm和20mm×39.5mm×41.5mm。此外，这种电容器符合国际标准，如IEC、UL和CSA。
　　EPCOS
　　电话：010-6515-7854
　　https://www.省略
　　
　　额定电压为1.2V的功率MOSFET
　　
　　额定电压为1.2V的VishaySiliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计。可直接从1.2V,总线驱动的功率MOSFE了还提供了额外潜在优势，通过它们，在内核电压低于1.8V的电池供电系统中无须额外的转换。
　　在额定电压最低为1.5V的MOSFET中，在更低的未指定栅源电压(例如1.2V)时导通电阻一般会按指数级增加，而这些新型1.2V TrenchFET在1.2V栅极驱动时提供了低至0.041Ω的N通道导通电阻以及低至0.省略
　　https://www.省略
　　
　　具有220μF/4V额定值的固体钽芯片电容器
　　　　
　　298D电容器采用0805模塑封装，面积为2.40mm×1.45mm，最大厚度为1.省略
　　https://www.省略
　　
　　满足HDMI降噪要求的滤波器阵列
　　
　　EMI滤波器7CM2010H在同行业内首次实现将两个滤波元件合并于单片元件中(阵列化)，适用于高速数据传送线，特别是可以满足HDMI ver1.3在处理高速信号时的降噪需求。HDMI回路中，包括同步信号(clock)，存在4个差动传送信号线，这就需要4个防噪声单元，由于TCM2010H含有两个单元，可用两个元件与一个HDMI端子对应，元件数量比以往减少一半。另外在进行阵列化设计时，在交调失真(串音)对策方面也做到了丝毫不影响使用效果。TCM2010H尺寸为2.0mm×1.0mm×0.8mm、切断频率为6.0GHz、Rdc最大为1.0Ω。
　　TDK
　　电话：021-6270-1 100
　　https://.jp
　　
　　具有极低变阻电压的片状压敏电阻
　　
　　积层压敏电阻AVRM0603 C6R8N7101N(0.6mm×0.3mm×0.3mm)具有极低变阻电压，仅为6.8V，该产品具有小型、无极性的特点，可大大减少装配面积、降低装配成本，最适合用于小型便携式器件的防静电部件。静电容量在1kHz时为100pF。
　　TDK
　　电话：021-6270-1 100
　　https://,jp