高纯金属靶材【新材料技术领域“大尺寸超高纯铝靶材的制造技术”重点项目申请】

　　1．项目名称 　　大尺寸超高纯铝靶材的制造技术 　　2．项目主要研究内容 　　（1）超高纯度铝原料的制备技术。针对大规模集成电路制造用及TFT-LCD制造用超高纯铝及铝合金靶材的要求，开展化学纯度99.999％－99.9995%的超高纯铝精炼提纯技术研究。
　　（2）进行大型铝及铝合金靶材的形变加工成型与微观组织/织构控制技术研究，掌握大尺寸坯料的熔炼铸造、大尺寸板材形变加工及热处理等关键技术。
　　（3）开发大型靶材的精密机械加工技术，以及靶材与背板的表面处理与联结的关键技术，实现靶材与背板的可靠焊接。
　　重点资助连续偏析提纯、真空低偏析铸造、精密变形加工及高平直度精密机加工等先进技术的研究开发。优先资助具有自主知识产权、产学研结合优势及一定产业基础的项目。
　　3．项目主要考核指标
　　（1）超高纯Al原材料：在分析40个以上杂质元素的基础上，化学纯度达到99.999％~99.9995%。其中要求：Na+ K+ Li ≤ 0.1 ppm，U+Th ≤ 1 ppb，其它杂质元素总量 ≤ 5 ppm，气体元素C、N、O、H2、S等满足现有电子国标要求。
　　（2）集成电路互连线制造用超高纯铝/铝合金靶材： 超高纯铝/铝合金铸锭：Na+ K+ Li ≤0.1 ppm，U+Th ≤1 ppb，除合金元素外其它杂质元素总量≤5 ppm，气体元素C、N、O、H2、S等满足现有电子国标要求；大尺寸(直径>180mm)铸锭的铸造缺陷率≤0.2%；靶材直径≥380mm；超高纯铝靶材晶粒尺寸≤200μm；超高纯铝合金靶材晶粒尺寸≤100μm、第二相尺寸≤0.5μm；靶材加工精度达到尺寸公差±0.1mm，表面粗糙度0.8μm；与背板焊接结合率≥98%，局部最大缺陷尺寸≤2％；靶材表面清洁度符合电子级要求。
　　（3）薄膜液晶显示器用超高纯Al靶：超高纯铝铸锭：Na+ K+ Li ≤0.2 ppm，U+Th ≤1 ppb，其它杂质元素总量≤5 ppm，气体元素C、N、O、H2、S等满足现有电子国标要求；大尺寸（直径>180mm）铸锭的铸造缺陷率≤0.2%； 靶材长度≥1700mm，宽度≥1200mm；靶材晶粒尺寸≤300μm，晶粒取向以（200）面织构为主；靶材加工精度达到尺寸公差±0.2mm，表面粗糙度0.8μm；与背板焊接结合率≥98%，局部最大缺陷尺寸≤2％；靶材表面清洁度符合电子级要求。