磁矩 [磁矩增强了超导性能等]

　　磁矩增强了超导性能 　　 　　美国伊利诺伊大学Urbana―Champaign校区的研究人员近日发现：当纳米线暴露在强磁场中，其超导性能增强了，这一研究小组同时也找到了这一特殊现象的成因。增强的超导性能可用于许多现有的电子设备和系统，也非常适合于未来需要低损耗输电的应用，如电力线、医疗设备和车辆。
　　由于提高了电子的动能并影响到电子的自旋，人们认为磁场会影响超导能力，同样，纳米线的磁距也会抑制其导电性能。不过，研究人员认为超导性能的增强要归因于纳米线暴露在氧气中时在其表面形成的磁矩。
　　如果单独分析，磁矩是会降低超导性能的，但将纳米线置于磁场中则抑制了这种效果。Paul Goldbart教授解释到：“虽然磁场和磁矩单独作用时会降低超导性能，但共同作用时，一种效果削弱了另一种，结果反而增强了纳米线的超导性能。”
　　这个结论同时也解释了这一小组此前发现的纳米线在缩小的过程中从超导体突变为绝缘体的现象。欲了解更多信息，请访问：http：／／www．news．uiuc．edu／news／06／1018nanowires-html。
　　――Ralph Raiola
　　
　　
　　新材料显著降低45nm制程的漏电量
　　
　　采用氧化硅制造晶体管栅介质已有40余年，随着氧化硅被加工得越来越薄，晶体管性能也稳步提高。然而，从90nm到65nm，再到45nm，氧化硅栅介质厚度的缩小也使栅介质的漏电量越来越高，导致了高能耗和不必要的发热。晶体管栅漏电与不断变薄的氧化硅栅介质有关，这一点已成为过去10年来摩尔定律面临的最大技术挑战之一。
　　近日，英特尔公司在45nm晶体管栅介质中采用厚度更高的铪基高k(Hafnium-bElsed high―k)材料取代氧化硅，有效的将漏电量减少了十多倍。
　　
　　由于高k栅介质与目前采用的硅栅电极不兼容，还需要采用金属作为栅极材料。英特尔将在其晶体管栅电极中采用不同金属材料的组合，但具体成分尚未公开。
　　在英特尔45nm制程技术中，高k栅介质与金属栅极的组合使驱动电流或晶体管性能提高了20％以上，同时，也使源极一漏极漏电降低了5倍以上，大幅提高了晶体管的能效。欲了解更多信息，请访问：http：／／WWW．intel．com。
　　――崔晓楠 本文为全文原貌 未安装PDF浏览器用户请先下载安装 原版全文