元器件与组件_电子元器件

　　无须外接电阻的高集成度数字晶体管 　　 　　200mw数字晶体管系列FJY30xx(NPN)和F JY40xx(PNP)在封装SOT523F中集成了一个外接电阻偏置网络，因此无须外接电阻，封装高度为0.78mm，占位面积为2.8mm2。
　　晶体管达到MSL1潮湿敏感等级要求，并采用无铅封装，能达到或甚至超越IPC／JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
　　Fairchild Semiconductor
　　电话：0755-8246-3088
　　
　　
　　采用“界面弹性波”的滤波器
　　
　　SAFAM系列是采用“界面弹性波”的滤波器，适用于手机和无线通信设备，尺寸为0.8mm×0.6mm×0.365mm，耐热性高。特点包括：小型、高度低；支持不平衡输入一平衡输出；高度抗模压性；可靠性高。
　　村田电子有限公司
　　电话：010-8048-6622
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　　带诊断功能的自保护MOSFET
　　
　　ZXMS6002／3是60V、500m Ω额定值的N沟道MOSFET，它可通过独立状态引脚提供诊断反馈。ZXMS6002G具有过热、过流和过压保护功能，可提供正常、限流和热关断等不同模式的模拟指示，无须外部元件。ZXMS6003G还兼具可编程过流限制功能，可通过外置电阻对电流限值进行编程。
　　ZXMS6002／3能耐受60V负载突降瞬变，还能耐受未经保护的28V输出电压瞬变，均可直接以5V微控制器输出驱动。
　　Zetex Semiconductors
　　电话：00852-2610-7932
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　　超低饱和电压晶体管
　　
　　新一代低VCEsat晶体管与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80％。这种新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压、高电路效率和更低的能源消耗(1A时低于60mW)。第三代BISS晶体管的最大集电极电流为5.8A，它使用网状发射极技术降低RCEsat，从而能够提供更高的电流容量以及超低的VCEsat。
　　目前提供三种塑封低VCEsatBISS晶体管：SOT457(六脚)、SOT89(三线、配有确保良好传热性的集电极片)和SOT223(四线、配有更多散热片)。
　　NXP Semiconductors
　　电话：010-6517-2288
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