3d建模一般学多久【用全地区MOSFET建模进行CMOS模拟设计】

　　Márcio Cherem Schneider 　　CMOS Analog Design Using 　　All�Region MOSFET 　　Modeling
　　2010，504pp
　　Hardback
　　ISBN9780521110365
　　
　　Márcio Cherem Schneider等著
　　本书是模拟集成电路设计课程的一本经典教材，作者从CMOS技术的前沿出发，结合丰富的工程和教学经验，对CMOS模拟电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题给出了详尽论述，阐述了全地区MOSFET建模的设计方法。本书覆盖了模拟电路设计的基本知识。不同于以往标准的平方率模型，本书介绍了一种对各个应用领域都有效的基于MOSFET模型的独特的设计方法。
　　本书内容共11章，1.模拟CMOS设计简介；2.先进的MOS晶体管的建模；3.CMOS技术，元器件及布局技巧；4.MOFETs的时间和空间波动；5.电流镜；6.电流源和参考电压；7.基本的增益级；8.运算放大器；9.集成连续时间滤波器基础；10.数据采样电路基础；11.MOSFET模型及设计参数提取的综述。
　　本书的作者Márcio Cherem Schneider 是巴西圣卡塔琳娜州联邦大学的电气工程系的著名教授，他目前的主要研究方向是MOSFET建模及模拟电路和射频电路的设计，尤其是在晶体管水平的设计。Carlos Galup�Montoro目前是加州大学伯克利分校机电工程系的访问学者，其主要研究方向是场效应管的建模和晶体管水平的设计。
　　本书对CMOS模拟电路的设计进行了更深入的研究，通过大量设计实例阐述设计原理，将理论与实践融为一体，适合有一定基础的高年级本科生和一年级的研究生们学习，同时也适合工程师阅读。
　　孙方敏，
　　博士生
　　（中国科学院电子学研究所）
　　Sun Fangmin, Doctoral Candidate
　　(Institute of Electronics, CAS)