云南有什么特色礼物吗 [做精做强,,打造特色工艺平台]

　　 记者:华虹NEC成立于1997年,是中国大陆首家8英寸晶圆代工工厂,并承担了中国集成电路产业有史以来最大的投资项目――国家“909工程”,经过十多年的发展,现已成为一家世界级领先的晶圆代工企业,请您介绍一下这些年来的发展情况?
　　高峰:上海华虹NEC电子有限公司(“华虹NEC”)成立于1997年7月,是国家为推进业界著名的“909工程”而专门成立的企业。华虹NEC于1999年兴建了中国大陆第一家8英寸晶圆厂,实现了自主技术升级,掌握了一批关键核心工艺技术,为集成电路产品的国产化作出了杰出的贡献。华虹NEC这条8英寸生产线的建成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。
　　2002年年初开始,华虹NEC向纯代工(Foundry)企业转型,确立了通过特殊代工工艺吸引战略客户的发展道路。华虹NEC通过持续技术创新和加大研发投入,不断优化生产制程和提高工艺水平,强化在嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理IC、功率器件、高压与射频等特色工艺平台的领先地位,致力成为特色工艺领航者。
　　经过十几年的建设和发展,华虹NEC现已成为世界领先的专业集成电路晶圆代工企业,为国内外客户提供涵盖1.0～0.13微米工艺的、专业的、高附加值代工服务。目前公司拥有两条8英寸生产线,月产能可达9万片。客户遍及中国大陆、中国台湾、韩国、日本以及美国等国家与地区。
　　 记者:在您接手华虹NEC市场工作不久,正好遇上全球金融危机,这次危机对半导体产业的影响很大,请问贵公司是如何来应对这次危机的?在您的带领下,有哪些新的市场策略和举措?
　　高峰:受国际金融危机的严重影响,与同行其他业者一样,华虹NEC也经历了2008年四季度到2009年一季度的艰难时段。但自今年3月以来,华虹NEC在逆境中稳步成长,产能利用率逐步提高,运营情况明显好转,销售收入也大幅提升,第二季度销售收入比第一季度大幅增长,预计下半年也继续保持增长态势,销售收入稳中有升。
　　在不利的大环境下,华虹NEC从公司各个层面积极应对严峻市场挑战,在采取降低营运成本、提高工作效率等有效措施保证公司持续健康发展的同时,确立了提高服务质量、满足客户全方位需求、提高生产效率、缩短产品上市周期、加快新技术的市场引入、致力成为特色工艺领航者的发展思路。我们加大了技术升级创新与业务开拓创新的力度,努力克服市场环境恶化带来的困难。华虹NEC坚持发展自己的特色工艺,致力于使其达到前沿技术水平。
　　 华虹NEC主动联合大学、科研院所以及战略客户,积极参与国家关于集成电路的重大专项,以此整合各方资源,实现资源共享,打造产学研用合作共赢新模式。另外,华虹NEC还与各地集成电路产业化基地签约,携手共推MPW(多项目晶圆)业务。
　　具体到市场方面,今年以来,华虹NEC加大了市场推广与宣传力度。我们在网络、报纸、杂志等媒体上做广告宣传的同时,以新闻稿、专访稿等形式刊登宣传稿,从各种不同的角度对公司进行宣传。通过举办展会、技术交流、新闻发布等市场推广活动,提升了公司知名度,增进了客户对公司的全方位了解,加强了华虹NEC在业界的影响力。我们集中优势资源完善现有工艺技术平台和配套IP,拓展现有工艺的应用范围,开发新的产品应用市场,继续巩固公司在特色工艺代工领域的业界领先地位。市场部新立项了二十多个IP开发项目,并与多家IP供应商签署了合作协议,丰富了华虹NEC工艺平台上的IP品种,为公司的新业务发展提供了有效的支持。市场部多次走访电子行业重镇深圳、西部设计中心成都和长三角地区,更好地了解客户和市场需求以及产品应用,为公司下一步技术发展寻找方向。我们还加大对市场特别是国内市场的拓展力度,深入发掘新的业务增长点,积极开拓与培养有潜力的中小客户。目前,华虹NEC已是中国晶圆代工企业中承接国内客户订单最多的公司,国内业务销售额所占公司整体销售额的比例也越来越大。
　　针对具有成长潜力的产品市场领域,结合自身的技术优势所在,华虹NEC将持续加大对其特色工艺的研发投入,进一步强化公司在嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、功率器件、高压等领域的领先地位。
　　记者:华虹NEC作为一家定位于提供特殊工艺的纯晶圆代工厂商,请介绍一下你们的特色与优势?并分析一下这些特殊工艺的市场情况?
　　高峰:华虹NEC为国内外客户提供涵盖1.0～0.13微米工艺的、专业的、高附加值代工服务,专注于嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、高压、射频以及功率器件等特色工艺平台以及逻辑、混合信号等通用工艺平台,代工产品已广泛应用于智能卡(第二代身份证卡、SIM卡、社保卡等)、通讯、计算机、消费类电子以及汽车电子等领域。
　　1、特色工艺平台 - 嵌入式非挥发性存储器(eNVM)
　　 针对中国集成电路制造业的实际情况,我们技术创新的方向应该面向具有特色的细分市场。例如,嵌入式存储器工艺在国内市场上有很大的需求空间,第二代身份证卡、SIM卡、社保卡、银行卡、电子门票等芯片以及各种微控制器(MCU)和系统芯片都使用嵌入式非挥发性存储器技术制造。华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器领域一直处于全球业界领先地位,拥有世界先进的应用于智能卡的0.13微米嵌入式闪存(EF130)技术。
　　EF130工艺采用SONOS技术(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon),具有业界极具竞争力的性价比,进一步降低了智能卡、MCU和SOC等产品的生产成本。与传统浮栅(Floating Gate)闪存单元结构相比,SONOS的主要优点是工艺简单,制造成本低,与标准CMOS工艺高度兼容性性以及更高的可靠性与更低静态功耗等。
　　EF130工艺平台拥有中大容量的嵌入式闪存IP,齐全的模拟IP,高速静态随机存储器和低功耗设计库,高性能的IO单元以及完善的产品和测试方案。产品平台具备拓展性的1.6～5.5V宽电压支持能力。嵌入式闪存工艺在工业温度范围内已达到业界领先的可靠性指标,运用该技术平台开发的产品的擦写寿命超过20万次,数据保存时间可达10年以上。该工艺同时具有极低的静态功耗,相当于同类工艺产品的10%的。其特性使产品更具竞争优势。
　　 SONOS 嵌入式闪存工艺正在成为主流非挥发性存储器工艺,特别适合智能卡应用。华虹NEC EF130平台以丰富和全面的Lib/IP以及完善设计平台支持,可以在智能卡市场日益升级的市场竞争环境下,为客户提供又一新的支持,引领智能卡市场继续前行。
　　在嵌入式非挥发性存储器技术研发方面,2009年公司在EF130的工艺平台上,成功开发了True EEPROM IP,实现了Flash与EEPROM共存于同一工艺平台的技术突破,并有效提升了单元模块的速度,同时推出了具有更高ESD性能的POC方案与面向智能卡/MCU应用的SOC/IP平台解决方案,缩短了客户新产品的上市时间,满足并超越了智能卡、社保卡以及信息安全芯片等产品需求,达到了业界领先水平。华虹NEC积累了丰富成熟的高安全性智能卡芯片生产制造经验,目前是中国最大的智能卡芯片代工厂商。
　　2、特色工艺平台 - 模拟/电源管理IC
　　面向模拟/电源管理IC市场,华虹NEC在2005年就启动了BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺的开发。华虹NEC的BCD工艺是目前国际上较先进的BCD量产技术,也是国内唯一的0.35微米BCD工艺技术平台,已有多个国内外客户的产品进入风险量产和量产。
　　 今年公司在模拟/电源管理IC方面,不断进行技术创新,取得显著成绩。基于CZ6H工艺,公司推出了精密模拟集成电路工艺平台CA500C/CA500CL,现已成功实现量产。与此同时,为满足日益增长的电源管理芯片的市场需求,公司继2008年成功开发并量产了BCD350工艺后,今年9月又成功推出了非外延工艺的 0.35μm BCD工艺,即PMU350工艺,下一步将致力于开发高密度的BCD180工艺和高压的BCD-HV平台,以期为国内外的电源管理、系统芯片和高压集成方案提供良好的平台。
　　中国政府经济刺激计划将对模拟芯片市场带来十分积极的影响与很多市场机会,“家电下乡”、电信重组和基础设施建设等项目都将极大刺激对模拟芯片的需求。电源管理芯片在消费电子、计算机和工业控制领域的发展相对稳定。尽管受到金融危机与行业整体低迷的影响,随着整机产品对节能、高效能要求的不断提升,电源管理芯片前景依然看好。汽车电子和LED驱动、电源解决方案(PMU)、高档电池保护与监控芯片将会是今后电源管理领域的热点。
　　3、特色工艺平台-分立器件
　　在分立器件代工领域,华虹NEC是全球第一家提供MOSFET代工服务的8英寸晶圆厂,已经有超过八年的量产经验。在过去的几年里提供了超过100万片的MOSFET晶圆的出货,产品拥有先进的MOSFET技术,目前我们已经可以提供高达700V的高压技术。
　　MOSFET已经广泛应用在主板、笔记本电脑、计算机类电源适配器、电动工具等产品,MOSFET拥有较快的市场增长率以及广阔的市场发展空间。
　　4、特色工艺平台-高压CMOS
　　华虹NEC在过去已经提供了超过20万片的高压CMOS晶圆出货,产品从大屏到小屏,从STN到TFT,广泛用于手机、手持式设备、笔记本电脑、电视机等等。华虹NEC正在开发0.13微米的TFT source driver和single chip driver,并致力于集成source和gate driver的0.8微米40V工艺。与市场类似工艺平台相比,华虹NEC的最大的竞争优势是高耐压和高质量。华虹NEC的大屏幕LCD驱动电路模块工艺是国内第一个通过产品最终验证的40V高压大屏幕显示器门驱动电路技术,填补了国内该项技术空白;自主开发极具竞争力的器件尺寸设计规则并通过了产品的最终验证,同时也提供所有的器件模型供客户开发基于该平台的任何产品。另外,提供高的高压器件可靠性,相比业界35%以上的高压PMOS VTS(阈值电压稳定性),我们将VTS降至25%以内。
　　5、特色工艺平台-射频工艺
　　目前中国大陆还没有一家公司可以面向客户提供SiGe技术,华虹NEC致力于RF领域的发展,大力研发国际上最先进的0.13μm SiGe-BiCMOS技术。该技术把RF方面的高频应用SiGe和数字方面应用的Si-CMOS结合起来,即把模拟和数字功能集成到一个芯片上。在工艺上则充分发挥CMOS工艺高集成度、低成本的优势,并借助SiGe HBT优越的高频性能和低噪声性能,使其两者完美的集成于一体。0.13μm SiGe-BiCMOS是高端市场有利的竞争者,在众多RF产品尤其是超高频领域有广泛应用前景。
　　总之,华虹NEC将继续提升嵌入式非挥发性存储器技术,使其继续保持全球业界领先地位,代工产品范围从智能卡拓展到MCU与高档SOC芯片;并瞄准触摸屏、电子书以及高档电池管理等巨大应用市场,携手战略合作伙伴积极推进0.13μm 内嵌Flash与高压/功率器件的工艺开发。我们希望进一步提高分立器件制造技术,积极争取更大的分立器件代工市场份额,同时打造特色工艺平台,做大做强国内高端电源管理与射频芯片产业,建立业界先进的0.13微米SiGe BiCMOS大规模工艺技术,将国内现有的SiGe HBT工艺提升到国际领先水平,为国内自主开发的无线通信射频芯片提供具有自主知识产权的制造和生产技术,实现高端无线通信芯片的国产化。
　　记者:在BCD和SiGe工艺方面一直是你们的特色,请您介绍一下这方面的应用情况以及未来发展趋势?
　　高峰:BCD工艺集成了Bipolar、CMOS和DMOS器件,综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力,CMOS器件集成度高、低功耗的优点以及功率器件高耐压、高效率及可降低芯片功耗等优点。DMOS器件在开关模式下工作,功耗极低,不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载,低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一。BCD工艺的主要应用在需要高压大电流的电源管理(电源和电池管理与保护)的领域,例如显示驱动、汽车电子、工业控制等。在显示驱动和电源管理两大市场强力驱动下,BCD工艺备受关注,成为IDM公司与晶圆代工厂Foundry的开发重点与竞争焦点。
　　在需要大电流的40～100V之间的电压范围,BCD技术是实现高集成度、高电压和低成本的最佳方案。BCD工艺朝着高压、高功率、高密度三个方向分化发展。高密度BCD主要的电压范围是5～50V,一些汽车电子应用会到70V。在此应用领域,BCD技术将集成越来越复杂的功能,今天,有的产品甚至集成了非挥发性存储器。许多电路集成密度较高,需要采用数字设计的方法(如集成微控制器)来实现最佳驱动以提高性能。这代表了持续增长的市场需求,即将信号处理器和功率激励部分同时集成在同一块芯片上。高密度BCD不仅仅是缩小了系统体积,减轻了重量,更带来了高可靠性,减少了各种电磁接口,有着非常广阔的市场应用前景,代表了BCD工艺的主流方向,也是最大的应用领域。电源与电池管理与保护、LED驱动与D类功放等是高密度BCD工艺主要应用领域。
　　早在2005年,华虹NEC就启动了BCD工艺的开发,现已经成功推出了BCD350 (0.35 微米BCD)与Non-epi BCD350 (非外延 0.35μm BCD)两套BCD工艺技术平台,并成功导入量产。华虹NEC在这两个工艺平台开发过程中积累了丰富的开发经验,现正在开发0.18微米 BCD工艺平台,以期为国内自主开发的电源管理和SOC芯片提供制造和生产技术平台,为实现高端电源管理和SOC芯片的国产化贡献力量。
　　特别值得一提的是,华虹NEC承担了国家十一五重大专项02专项(极大规模集成电路制造装备及成套工艺专项)的两个项目--面向高端电源管理的“0.25/0.18μm BCD”与面向高端无线射频应用“0.18/0.13μm SiGe BiCMOS成套工艺技术”,目前项目进展顺利。
　　在SiGe工艺技术方面,华虹NEC致力于RF领域的发展,大力研发国际上最先进的0.13μm SiGe-BiCMOS技术。该技术把RF方面的高频应用SiGe和数字方面应用的Si-CMOS结合起来,即把模拟和数字功能集成到一个芯片上。在工艺上则充分发挥CMOS工艺高集成度、低成本的优势,并借助SiGe HBT优越的高频性能和低噪声性能,使其两者完美的集成于一体。0.13μm SiGe-BiCMOS是高端市场有利的竞争者,在众多RF产品尤其是超高频领域有广泛应用前景。
　　记者:前不久,贵公司针对市场的不同需求推出了非外延工艺的0.35μm BCD工艺(PMU350工艺),请您简单介绍一下PMU350工艺的情况,这对华虹NEC未来的业务发展有何促进?
　　高峰:为满足日益增长的电源管理类芯片市场需求,公司继2008年成功推出并量产了BCD350(0.35 微米Bipolar CMOS DMOS)工艺后,在今年9月又成功推出了非外延工艺的0.35μm BCD工艺,即PMU350工艺。外延层替代方案与简化后的工艺流程,使得该工艺更具竞争力。目前,PMU350工艺已顺利通过产品验证,进入量产。
　　华虹NEC PMU350工艺主要面向电源管理、显示驱动、汽车电子、工业控制等领域,该工艺的标准配置包括3.3V/5V的CMOS,12V/18V/30V/40V的LDMOS以及垂直的NPN和水平的PNP等器件,同时还提供高精度的电阻、高密度的电容及一次性可编程存储器等可选器件以方便客户选用。PMU350是LED驱动芯片、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电池保护和充电保护芯片的最佳工艺选择之一。
　　据CSIA的统计,随着产品集成度的进一步提高以及便携产品需求的不断增加,2009年上半年电源管理单元(PMU)市场份额有所提升,达到10.8%,由于技术要求、产品解决方案以及市场渠道等诸多因素制约,目前电源管理单元市场基本由国际领先的大厂占据。
　　华虹NEC PMU350工艺的成功量产,将为客户提供更多的工艺选择。为了持续不断地在该平台上推出下一代工艺来满足客户需求,华虹NEC已经在开发0.18微米 BCD技术平台,以期为高档电源管理SOC芯片提供更优异代工解决方案,同时填补国内代工市场的空白,成为BCD领域的领航者。
　　记者:贵公司的近期目标是什么?
　　 高峰:华虹NEC近期目标是继续提升嵌入式非挥发性存储器技术,使其继续保持全球业界领先地位,代工产品范围从智能卡拓展到MCU与高档SOC芯片。在分立器件代工领域,华虹NEC拥有丰富的经验,目前可以提供高达700V的高压技术。同时开发0.18/0.13μm 锗硅(SiGe)和0.18μm Bipolar- CMOS-DMOS(BCD)工艺技术,有望在今后两年内实现量产。华虹NEC将持续加强技术升级创新和业务开拓创新,抓住半导体市场触底反弹的有利时机,用最先进的特色工艺,最优质的服务,与广大客户一起迎接新一轮大发展。