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电力电子应用技术:电力电子应用技术第四版答案

发布时间:2019-08-01 09:38:47 影响了:

1.三相全控桥整流电路的单脉冲触发方式是什么

最为流行的是三相全控桥式整流电路要求用双窄脉冲触发,即用两个间隔60°的窄脉冲去触发晶闸管。产生双脉冲的方法有两种, 一种是每个触发电路在每个周期内只产生一个脉冲, 脉冲输出电路同时触发两个桥臂的晶闸管,这叫外双脉冲触发; 另一种是每个触发电路在一个周期内连续发出两个相隔60°的窄脉冲, 脉冲输出电路只触发一个晶闸管,这称为内双脉冲触发。 内双脉冲触发是目前应用最多的一种触发方式。 单脉冲不太清楚,为你提供双窄脉冲触发看对你有用不。

2.晶闸管电路的过电压和过电流保护方式?

产生过载的主要原因:负荷过载、线路短路、电源缺相、晶闸管本身击穿损坏或误触发等,因晶闸管元件体积小,过载时会造成结温过高而烧毁,所以必须严格限制过载电流,除控制(电子)电路实施的保护外,在主电路中经常采用在电源串入快速熔断器,对晶闸管的过载进行保护,在发生6倍晶闸管额定电流时,一个周波可以熔断。此外,还可采用过电流继电器、直流快速断路器等用于过载和短路保护,但保护速度和效果不如快速熔断器。 快速熔断器的额定电流值为晶闸管电流平均值的1.25~1.5倍。产生过电压的原因一般因感性负载电路的开闭、电源电压波动、快速熔断器熔断、电源侧侵入的浪涌电压等,针对形成过电压的不同原因,可采取不同的抑制方法,如抑制过电压能量的上升速率、增加其能量的耗散等,目前最常用的是中主电路回路中接入吸收能量的元件,使能量得以耗散,称之为吸收回路或缓冲电路。

通常过电压具有较高的频率,因此常采用电容作为吸收元件,但为防止振荡,增加阻尼电阻,构成R、C吸收回路。阻容吸收回路可以接在电源输入侧(交流侧)、输出侧(直流侧)和晶闸管的阳极和阴极之间。但R、C阻容吸收回路的时间常数是固定的,对时间短、峰值高、能量大的过电压吸收能力有限,因而在输入侧,通常还并有硒堆、压敏电阻等非线性元件,用以对晶闸管的过电压进行吸收。硒堆由多片硒片叠合而成,硒堆涌流容量大,对过电压抵制效果好,有自恢复特性等优点,但因体积大,价格高,在中、小容量的晶闸管装置中,已经很少应用。 压敏电阻的电压与电流呈非线性关系,当其两端所加电压低于压敏电压值时,压敏电阻的电阻值接近无穷大,为高阻状态,对连接电路没有影响;当压敏电阻两端电压高于压敏电压值时,迅速击穿导通(变为低阻状态),形成较大的泄放电流。当其端电压因泄放又低于压敏电压值时,又恢复为高阻态。当其两端电压超过最大限制电压时,压敏电阻出现不可逆性击穿损坏。压敏电阻在电路中起到过电压保护、抑制浪涌电流、吸收尖峰电压、电压限幅、稳压等作用。

3.什么叫有源逆变?什么叫无缘逆变?

1将直流电变换为和电网同频率的交流电并反送到交流电网的过程称为有源逆变。无源逆变是将直流电变成频率一定或可变的交流电供给负载

4.双向晶闸管的四种触发方式

双向晶闸管正反两个方向都能导通,门极加正负信号都能触发,因此有四种触发方式。

(1)I+触发方式 阳极电压为第一阳极T1为正,第二阳极T2为负;门极电压G为正,T2为负,特性曲线在第一象限,为正触发。

(2)I-触发方式 阳极电压为第一阳极T1为正,第二阳极T2为负;门极电压G为负,T2为正,特性曲线在第一象限,为负触发。

(3)Ⅲ+触发方式 阳极电压为第一阳极T1为负,第二阳极T2为正;门极电压G为正,T2为负,特性曲线在第三象限,为正触发。

(4)Ⅲ-触发方式 阳极电压为第一阳极T1为负,第二阳极T2为正;门极电压G为负,T2为正,特性曲线在第三象限,为负触发。 以上四种触发方式Ⅲ+触发方式的灵敏度最低,尽量不用。应用中为了保证正负电流波形对称性,防止出现直流分量,通常采用强触发,即实际触发电流的幅值应满足Ig>(2-4)IgT(门极触发电流)。

5.什么是直流斩波器?直流斩波器按输出电压平均值大小分哪几类?

直流斩波器(D.C. Chopper)又称为截波器,它是将电压值固定的直流电,转换为电压值可变的直流电源装置,是一种直流对直流的转换器(DC to DC Converter),降压型,升压型,升-降压型

判断题。

1. 带续流二极管的全控桥式整流电路可以实现有源逆变

2. 转折电压为380V的晶闸管可以用在交流220V的场合

3. 实现负载换流方式的逆变电路负载性质可以为感性

4. 三相全控桥式整流电路中共阴极组的三个晶闸管,正常工作时的触发脉冲依次相差60度电角度

5. 电压型三相桥式逆变电路,采用180度导电控制,其换向是在同一个桥臂的上下两个开关元件之间进行

6. 晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是均流措施

7. 单行调压电路中,阻感负载时的移相范围是@~180度

8. 全控器件加正向触发导通,只有负载发信号时才能截止。

9. IGBT是GTR和MOSFET的复合管,其输出特性取决于GTR

10. 三相半波整流电路中,考虑换相重叠角时,因为换流的两相瞬间都导通,所以整流输出电压很大。

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