[半导体中的广延缺陷,电子性质器件效应及结构] 功率半导体器件

　　D. B. Holt Imperial College Of Science, 　　Technology and Medicine,UK 　　B. G. Yacobi University of Toronto,
　　Canada
　　Extended Defects in
　　Semiconductors
　　Electronic Properties, Device Effects and Structures
　　2007, 631pp.
　　Hardcover
　　ISBN 9780521819343
　　
　　D.B.霍尔特等著
　　广延或结构性缺陷是对结构完整性的永久偏离,即对实际晶体原子的正确部位的永久性偏离。研究半导体的一个中心议题是与研究各种缺陷以及它们对材料的性质和电子器件工作的影响相关的。有关半导体中广延缺陷的电子性质(即位错、堆积缺陷、晶粒间界和沉淀)和这些缺陷对各种各样电子器件的影响的课题几十年来一直引起人们广泛的兴趣。本书的主要目的是概括广延缺陷的基本性质、它们在器件中的作用以及这些缺陷的鉴定技术。
　　本书共有6章。1.半导体材料;2.对广延缺陷的介绍;3.半导体中广延缺陷的特性鉴定;4.半导体特有的广延缺陷核心结构与机械效应;5.位错与晶粒间界的电、光及器件效应;6.点状缺陷材料问题。
　　本书的第1作者是英国伦敦帝国学院材料系的荣誉退休教授,他的研究集中在半导体材料和器件的科学与技术上,开发和应用于它们鉴定的扫描电子显微镜技术。第2作者是加拿大多伦多大学材料科学与工程系的助理教授,他从事包括各种电子和光子材料及器件的合成、应用及鉴定在内的几个固体物理学领域的研究。这本教课书适用于材料科学与工程以及研究半导体物理的大学高年级学生和研究生。它也可用作为许多物理及工程科学研究人员的参考书。
　　胡光华,
　　高级软件工程师
　　(原中国科学院物理学研究所)
　　Hu Guanghua, Senior Software Engineer
　　(Former Institute of Physics,CAS)