元件与组件 手机组件及元件

　　适用于电视广播发射机的超高频晶体管 　　 　　超高频(UHF)晶体管，即高压LDMOS晶体管BLF878能够在整个UHF波段以良好的线性性能和稳定性能提供300W功率的解决方案，主要面向电视发射及广播市场。BLF878超高频(UHF)大功率LDMOS晶体管能从给定的输入功率获得最大的输出功率，并将恒波(Cw)效率提高到55％，数字广播效率提高到32％，从而使广播商节省大量成本。BLF878 UHF大功率LDMOS晶体管是一个非常稳定的解决方案，能够经受住高性能广播运营工作的严峻考验，其电压驻波比(VSWR)为10:1。
　　NXP Semiconductors
　　电话：010-6517-2288
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　　用于手机相机电子闪光控制的200AIGBT
　　
　　RJP4004ANS IGBT采用业界最小的VSON-8(超薄小外形无铅8引脚封装，瑞萨封装代码)封装，具有处理高达200A大电流的能力，用于嵌入移动电话和数码相机的相机电子闪灯控制。
　　RJP4004ANS尺寸仅为3.0mm×4.8mm×0.95(最大)mm。在2.省略.省略
　　
　　面向低功耗应用的MLP封装MjcrOFET
　　
　　新推出的7款MicroFET产品主要面向30V和20V以下低功耗应用，采用2ram×2ram×0.8mm模塑无引脚封装(MLP)。
　　其中，FDMA1023Pz.FDMA520PZ、FDMA530PZ 和FDMAl、025P分别具备不同的配置，集成了单及双P沟道PowerTrenchMOSFET与ESD保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，FDMAl023P2更可保证以低至1.5V的栅极电压提供低额定导通阻抗。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。另外三款产品集成了N或P沟道MOSFET和肖特基二极管。当中，FDFMA2P02 9Z和FDFMA2P857集成了P沟道MOSFET和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压和反向泄漏电流，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件FDFMA2N028Z采用N沟道MOSFET和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。
　　Fairchild Semiconductor
　　电话：0755-8246-3088
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　　4线总线端口保护二极管阵列
　　
　　该小型4线ESD保护阵列可保护两个高速USB端口或四个其他高频信号线，以免它们受到高达15kV的瞬态电压信号的损坏。
　　该新型阵列采用占位面积为1.6mm×1.6mm且具有0.6mm(VBUS054B-HSF)或0.75mm(VBUS054B-HS3)超薄厚度的无引线LLP75封装，可将众多便携式电子系统中的有源ESD保护所需的板面空间缩减至最小，如便携式与手持式计算、通信、工业、汽车及医疗应用。
　　该新型器件在5V最大工作电压时具有不足1pF的低电容以及不足0.1μA的低典型漏电流。可提供6.5V的典型击穿电压(在1mA时)，在3A时可提供15V的最大钳位电压。
　　Vishay Intertechnology
　　Email.business-asia@vishay.corn
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　　48V高功率GaN晶体管
　　
　　RF393X系列48V氮化镓(GaN)功率晶体管可提供10～120W的功率性能以及超宽的可调带宽，将功率、带宽及效率进行了完美结合。RF393X产品系列由五个48V GaN非匹配功率晶体管组成，在2.1GHz时每个均可提供14～16dB的增益以及超过65％的高峰值漏极效率。GaN功率晶体管的出色性能使它们非常适用于宽带、高效功率放大器应用，例如广播电视、无线基础设施、高功率雷达、航天及航空电子。
　　RF Micro Devices
　　电话：010-6787-9977
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