一种异常Vramp,I-V曲线分析及其应用探讨 集成电路 V/I曲线 异常

　　摘要:讨论分析了Vramp 测试方法,说明了I-V曲线的特性。就一个异常案例中测得的I-V 曲线展开了分析,说明了曲线异常背后的原因,揭示了Vramp测试结果和等离子所致损伤之间的关联。结合其它可靠性测试项目的结果,成功地进行了氧化层性能快速评估,丰富了Vramp测试的应用。
　　关键词:Vramp 测试;I-V 曲线;栅氧化层性能;可靠性风险评估
　　
　　1引言
　　
　　随着半导体制造技术进入深次微米时代,集成电路可靠性问题变的日益复杂和重要,而氧化层制备的可靠性问题更是重中之重。斜坡电压测试(Voltage ramp test, Vramp)是最常见的栅氧化层可靠性评估项目。Vramp测试从操作电压Vuse开始线性地斜升加速电压至氧化层击穿,测试很快,对于氧化层在低电场下的缺陷特征分析非常有效。因此,其最常用于评估认证微电子器件栅极氧化层非本征行为特征,决大多数的Fab厂都将其列为可靠性认证、评估和监控的必选项目。
　　本文探讨了Vramp测试方法,分析了I-V曲线特征。就一个特别的异常案例,分析了其Vramp测试的I-V曲线。基于I-V曲线特征分析,并结合产线异常引起的等离子所致损伤(Plasma Induced Damage, PID)效应,探讨了Vramp测试方法的延伸运用。结果说明,Vramp I-V 曲线分析可以帮助快速有效地进行氧化层可靠性风险评估。 本文为全文原貌 未安装PDF浏览器用户请先下载安装 原版全文