【元器件与组件】电子元器件
新型PolySwitch可复位电路保护器 新推出的PolySwitch LVR系列可复位电路保护器件有助于防止电机和变压器因过载、过热、零线故障和其他潜在因素导致的损坏。
PolySwitch LVR系列产品包括了多种额定值为120VAC和240VAC线电压等级产品，在20℃运行电流高达2A。这些产品阻抗低、动作时间快、体积小并具备可复位功能。PolySwitch LVR器件可复位功能和高电阻锁定特性使之成为一种可靠且经济的保护解决方案，间歇式和连续式的电机均可使用。PolySwitch LVR器件还有助于减少因电流轻微增加而使温度上升所导致的设备损坏现象。
泰科电子(上海)有限公司
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光隔离MOSFET栅极驱动器
新推出的高频光隔离MOSFET栅极驱动器能够在工业应用中驱动高达30A／1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0．5A)具有200ns(最大)的上升／下降时间，能够迅速开启／关断MOSFET以减小开关损耗。FOD31 80具有高达2A的峰值输出电流，无须额外的功率放大电路便可直接驱动宽范围的MOSFET。主要应用包括太阳能逆变器、UPS、DC／DC转换器以及PDP等。
FOD3180和FOD3181的其他可靠性功能包括：5000V的额定隔离电压可以满足大多数安全认证标准；在电压达到使能状态时才导通的欠压闭锁功能，从而保护MOSFET,具有故障防护绝缘的共面结构。这些器件还具有较宽的工作电压(最大20V)，而且其PMOS上拉晶体管和NMOS下拉晶体管提供17V的信号摆幅(Vcc～VEE)。
FOD3180和FOD3181备有8脚DIP封装形式，可满足包括260℃回流焊的RoHS指令。这些无铅产品能达到或甚 至超越IPC／JEDEC的J-STD-020C标 准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
Fairchild Semiconductor
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GSM／GPRS／EDGE收发模块
新推出的RF3203 GSM／GPRS／ EDGE收发模块采用可提高总辐射功率 (TRP)及比吸收率(SAR)性能的新型 PowerStar II技术。RF3203可将在 3：1天线失配情况下的输出功率变化降 至±1dB，并可将电流变化降低50％。 RF3203还为客户提供了全面支持新兴 TRP要求的线性EDGE收发模块。 RF3196完全符合RoHS指令，该产品 将于2007年第二季度上市。
RF Micro Devices
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新型SOT－723封装功率MOSFET
NTK313xx系列功率MOSFET专为空间受限的便携式电子应用而设计。其中，NTK3134N是一款20V、890mA的N通道MOSFET，NTK31 39P是－20V、-780mA的P沟道MOSFET，两款器件在高于200mA工作电流下的低导通电阻RDS(on)以及1．5V的低栅极电压让它们可以通过电源管理ASIC或其他控制器直接控制。
NTK313xx器件适合负载或电源转换应用和小信号接口切换，内置静电放电(ESD)保护，SOT-723封装的1．2mm×1．2mm占位面积比起提供相似性能而采用SC－89或SC－75封装的MOSFET节省了44％的电路板空间，拥有0．5mm的低垂直间隙，这些新SOT-723封装MOSFET能满足新一代超薄手持便携式设备的需求。
ON Semiconductor
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N沟道增强模式MOSFET
该三款MOSFET为有限驱动电压应用设计的N沟道增强模式MOSFET，分别为20V的ZXMN2803E6(SOT236封装)、ZXMN2814FH和ZXMN280lF(两者均为SOT23封装)。这些器件均具有1．8VGS条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1．2V电池或一个锂离子电池驱动。
三款新MOSFET可确保1．8VGS条件下的导通电阻分别低于75mΩ、100mΩ和200mΩ，使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。该产品还具有快速开关性能，ZXMN2801F在VGS=4．5V和ID=IA的情况下，上升和下降时间仅为3．6ns和10．5ns。
Zetex
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20V／40V PolarPAK功率MOSFET
该功率MOSFET是具有双面冷却功能的PolarPAK功率MOSFET系列产品中新增添的N沟道20V、30V及40V器件，PolarPAK双面冷却构造提供的双散热通道可在具有强迫通风冷却功能的系统中实现高电流密度，从而可缩小设计尺寸和／或减少并行MOSFET的数目。该产品具有与标准SO-8相同的占位面积，但厚度是它的1／2，仅为0．8mm。其中20V的SiE810DF与SiE808DF、30V的SiE806DF以及40V的SiE812DF的导通电阻范围介于1．4～2．6mΩ。主要面向电信及数据通信系统中的同步整流、负载点转换器及OR-ing应用，与市场上仅次于它们的具有双面冷却功能的器件相比，这四款器件的导通电阻低48％，导通电阻与栅极电荷乘积的性能提高12％。
Vishay Intertechnology
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具有2．4GHz／5GHz双模兼容性的硅锗功率晶体管
RQG2003是高性能的功率硅锗晶体管，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RFID标签读／写机等产品。具体技术指标：在5GHz频段：6．4dB的功率增益，26．5dBm条件下的1dB增益压缩功率；在2．4GHz频段：13．0dB的功率增益，26．5dBm条件下1dB的增益压缩功率，功率增加效率为66．0％；采用小型表面贴装8引脚WQFN0202封装，尺寸为2．0mm×2．0mm×０．8mm。
Renesas Technology
电话：021-6472-1001
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