【三维互连集成ＣＭＯＳＩＣ硅焊接技术有望实现更高密度、功耗效率和性能等】焊接技术

　　 　　三维互连集成CMOSIC硅焊接技术有望实现更高密度、功耗效率和性能 　　 　　同Raytheon Vision Systems公司合作，硅焊接工艺开发者ziptronix公司证明了其直接焊接互连(DirectBond Interconnect，DBI)技术可以和多层CMOS IC工艺相兼容，该技术可以使硅和其他器件以三维方式焊接互连集成在一起，从而增加晶体管的信号通道密度，提高混合信号产品的功耗效率，同时，降低了成本。
　　Ziptronix的研发副总裁蒹CTO Paul Enquist说：“同其他三维集成技术相比，我们的技术可以在室温下利用现有的操作设备，避免了带来额外的麻烦，这一点是该技术的特别优势。”这一演示包括了一个0.省略，或访问网站：https://www.省略。
　　――Ralph Raiola
　　
　　美国科学家制造出世界上最长的碳纳米管
　　
　　美国Cincinnati大学的科学家们最近制造出了世界上最长的碳纳米管。这种纳米管为阵列形式，每个碳纳米管长度略小于2cm，是其直径的九十万倍。
　　科学家们用化学气相沉积(CVD)技术一种通常在半导体工业中用来制造薄膜的技术一将一种新型的基底和催化剂相结合，使碳在其上沉积，形成一束碳纳米管。研究人员还与Ronkonkoma CVD设备公司合作，使用了叫做EasyTube 3000的特制熔炉，来破坏碳氧键生成碳原子蒸气的原始材料。他们使用氧化硅作为基底，金属和陶瓷交互的材料作为催化剂，在碳蒸气中生长纳米管。这个小组制造的碳纳米管比之前制造的要长很多，此前最长的碳纳米管是3mm。更为重要的是，这个小组在大约10mm见方的基底上生长了一层12mm厚的均匀的碳纳米管，为碳纳米管制造的大型化开辟了道路。
　　――李晓延