[功率器件变革创新] 功率器件

　　环境污染、温室效应、不可再生能源日趋枯竭……这些日益威胁人类生存的难题已经使全球有识之士认识到节能减排提高能效是未来科学技术活动一项长期的任务。如何应对这项挑战?各个半导体纷纷从半导体器件入手，帮助系统公司提升电源效率，这方面，英飞凌近年来动作频频，近日，英飞凌公司高调发布其最新的OptiMOS 3系列低压MOSFET，并详细讲解了如何利用创新的MOSFET来提升电源系统效率。
　　全新OptiMOS 3系列可提供出优良的通态电阻，OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO 8封装具备最低1.8mΩ的通态电阻，OptiMOS 3 60V采用SuperSO 8封装具备最低2.8mΩ的通态电阻，OptiMOS 3 80V采用SuperSO 8封装具备最低4.7mΩ的通态电阻，与最接近的竞争性产品相比，通态电阻降幅高达50％，为业界树立了新标杆。
　　OptiMOS 3 40V、60V和80V产品适用于需要高效率和功率密度的功率转换和管理应用，包括众多产品的SMPS(开关模式电源)、DC／DC转换器和直流电机驱动器等。这些产品包括计算机、家用电器、小型电动车、工业自动化系统、电信设备和电动工具、电动剪草机和风扇等消费类电子设备。
　　去年年底，英飞凌获得了IR公司的DirectFET封装技术授权，但是由于目前主要是IR提供封装，所以采用DirectFET封装(英飞凌称为CanPAK封装)的OptiMOS3器件还不多，随着英飞凌马来西亚新封装厂的落成，未来采用CanPAK封装的器件会大量面市，他透露目前也有其他厂商获得了IR公司的DirectFET封装授权，所以未来采用DirectFET。封装将会增多，将摆脱以前仅有一家公司供货的局面，因此，该类封装应用将走热。
　　
　　Vishay于深圳推广新产品和新技术
　　
　　5月27日，Vishay公司在深圳举行亚太区媒体交流会。会上，Vishay市场传讯部门全球网络市场总监Craig Hunter介绍了公司发展状况。Vishay亚太区钽电容器／MLCC部亚太区市场高级总监SongHee Lau，电阻／电感部门亚太市场高级总监Victor Goh，分别对Vishay钽电容器系列及其Tantamout器件在“消除无线调制解调器设计中的PCMCIA功率限制”上的应用，和MELF电阻器及超薄功率电感器进行了全面阐述。
　　Vishay功率器件部门亚太区市场资深经理Vincent Tan介绍了全球第一款200V TMBS(沟道式MOS势磊肖特基)整流器所采用的新技术是如何克服高正向电压和高开关损耗的弱点，并介绍了PowerBridge整流器。Siliconix部门高级应用工程师Sean Wu详解了功率MOSFET的产品组合、技术创新IC工艺以及IBC PWM控制器，指出为了满足电信和数据通信、路由器和服务器等领域电源扩容的需要，在IBC PWM控制器中集成高侧MOSFET驱动器可以进一步降低成本。
　　据介绍，目前Vishay的产品组合包括半导体和无源元件两大产品线。半导体器件组合包括MOSFET、大功率二极管、集成电路、模块、光电器件、整流器、RF晶体管、小信号二极管、可控硅、齐纳和抑制二极管；无源元件组合包括电容器、电感器、基于应变计的传感器以及压力分析系统。